核心基础元器件3D高密度硅电容在深圳诞生

中国经济导报记者刘宝 刘江勇

近日，运通极芯（深圳）科技有限公司研制的3D高密度硅电容器取得技术突破。本产品是高端应用领域的核心基础元器件，公司拥有硅电容器制造工艺技术及相关生产设备制造技术的知识产权，技术工艺水平在国际处于领先地位。

据了解，3D 高密度硅电容器的制造工艺是使用半导体的工艺工程，在5G通信，工业，医疗，汽车，军事等领域有广泛的市场应用。在这一领域日本的村田是全球该行业的领军企业，且技术严格对外封锁，以美国为首的西方发达国家对这高科技材料对中国也实行了"断供制裁”名单中，以此扼制中国的高科技产业的发展。

据运通极芯（深圳）科技有限公司董事长付大庆介绍，为早日解决关键核心技术“卡脖子”问题，摆脱受制于人的困境，中国“运通极芯”研制团队历经数年潜心研究、刻苦攻关，历经无数次的实验，终于攻克了诸多国产化技术瓶颈，尤其在半导体工艺技术上取得了重大突破。由运通极芯（深圳）科技有限公司研制出的3D 高密度硅电容器 ，不仅各项检验指标均达到了国家标准要求，而且主要指标已接近国外同类产品的技术水平，是首支完成国产化的3D高密度硅电容器，填补了我国在这一领域的空白，一举打破国际垄断，在国内成为具备该类半导体工程即电容器（硅电容）生产制造能力的公司。

据了解，自有的高新技术与进口设备，利用半导体工艺制作的电容器，其具有高可靠性、高稳定性、耐高温（极限温度250℃）、高频（60GHz），嵌入式、超薄性等优点。在国内、外目前市场上现有积层电容器的高端产品中，技术工艺水平处于领先地位。该技术应用的项目建设有助于带动我国电容器生产技术整体水平提高，具有良好的行业示范作用，有助于促进我国电容器行业的整体发展并且该项技术填补国内技术空白。该项目产品的研制成功是运通极芯团队坚守初心、勇担使命的具体体现，更是认真贯彻落实习近平总书记科技强国的重要指示精神，坚持自力更生、自主创新，始终牢记发展壮大民族工业，维护国家经济和科技进步，代表国家参与全球竞争企业初心和使命的生动实践。实现了跨越发展，掌握了新一轮的科技竞争的战略主动。